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CP测试是指在晶圆还未切割和封装之前，直接在晶圆上对每一个芯片单元（Die）进行的电性和功能性测试。
集成电路测试是确保芯片质量的关键步骤，其中最主要的两类测试是CP测试（Chip Probing）和FT测试（Final Test）。
探针卡在集成电路测试中的作用至关重要。它不仅是ATE与晶圆之间的接口，也是确保芯片良率和质量的重要工具。
参数测试通常是在晶圆片制造过程完成后 (即已进行了钝化) 和对产品裸片的电气性能分选(电分选)前执行。
每一颗功率芯片都要进行指标测试，每一张晶圆都要进行筛选测试。在片的筛选测试必须要具备的是晶圆自动化测试夹具，即自动化高压探针台，以及静态参数测试仪表。
在芯片的规格书中，对散热设计最有帮助的有三个值：功耗，温度要求和热阻参数。
封测在集成电路领域中扮演着至关重要的角色。具体可以分为：晶圆测试、芯片封装、芯片终测、系统级测试4个阶段。
接触式高低温冲击机，能满足高温或者低温条件下带电测试需求，系统可以在IC上提供快速和准确的温度转换。
Mechanical Devices开发生产并向主要半导体器件制造商提供创新的成本效益热控制单元，以测试IC器件。
高加速提升测试和高加速应力筛选是什么意思呢？它们与老化测试有何不同？
老化测试是筛选和检测其产品中任何高潜在故障的最佳方法。
测试过程中使用的老化测试类型将取决于不同的要求。如果不确定哪种测试方法最适合，可以参照以下三种不同类型的可用测试及其优缺点，来选择适用的方法。
准分子（最初是激发二聚体的简称）是由两种物质形成的短寿命二聚体或异二聚体分子，其中至少一种物质的价壳层被电子完全填充（例如，惰性气体）。
通过进行老化测试来复制实际的现场应力环境有助于降低故障率。老化测试对于确保生产线的质量控制至关重要。
验证一个产品的工作寿命最直接的方法就是直接模拟它实际受到的工作环境，观察它正常工作的时间。
SOC测试是保证芯片质量和性能的关键步骤。随着SOC集成度的提高，测试复杂性也显著增加，需要更多的测试向量和时间。
JEDEC标准被广泛应用于半导体芯片、集成电路和其他电子设备的设计、制造和可靠性测试过程中。
集成电路测试的基本原则是通过测试向量对芯片施加激励，测量芯片响应输出(response)，与事先预测的结果比较。
静电卡盘就是一个典型的细分零部件市场，其在半导体制造工艺的多个环节扮演着重要作用。
HBM 制造的关键是TSV 工艺，它的目的是会在芯片上打孔。
静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)，应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力(EOS: Electrical Over Stress)破坏的主要元凶
光电子器件是电子信息产业的重要组成部分，是光电子技术的关键和核心部件。
400G光模块主要用于光电转换，电信号在发送端被转换为光信号，然后通过光纤传输，在接收端，光信号被转换成电信号。
双85试验是一种环境应力加速试验，通常在温度85℃、湿度85%RH的条件下进行。这种试验主要用于评估产品在高温高湿环境下的性能和稳定性。
通过使用SLT在仿真的终端环境中对待测芯片进行功能测试，设备制造商可以预防使用传统晶圆和封装测试技术难以检测到的漏检故障。
HAST测试是一种用于评估产品在高温、高湿以及高压条件下的可靠性和寿命的测试方法。
系统级测试（SLT）是指在仿真的终端使用场景中对待测芯片（DUT）进行测试。
芯片HAST测试是一种用于评估产品在高温、高湿以及高压条件下的可靠性和寿命的测试方法。
ZONGLEN 热流仪可兼容市面上各品牌光学检测设备，完成再电高低温环境下的光学性能测试，是光学检测设备必不可少的组成之一。
常见的非恒定应力谱和组合应力包括：步进应力试验；渐进应力试验； 高加速寿命试验（HALT）（设备级）；高加速应力筛选（HASS）（设备级）；高加速温度和湿度应力试验（HAST）（零件级）。
光模块作为光通信中的重要组成部分，是实现光信号传输过程中光电互相转换的光电子器件。
在划片之前必须经过的CP芯片测试，一方面验证IC各项参数及功能是否达到设计要求，另一方面把参数或功能失效的IC从中标示出来。
随着IC产业的飞速发展，其中测试的精确度及稳定性是两大难题，尤其在量产ATE测试时表现更为严重。
IC测试主要的目的是将合格的芯片与不合格的芯片区分开，保证产品的质量与可靠性。
在AECQ100车规认证流程中，很多的实验前后都需要进行常温或者高低温的测试。
加速试验模型是对产品在正常应力水平下以及一个或多个加速应力水平下的关键因素进行试验而导出的。
HAST测试被广泛应用于各种芯片产品的研发和生产过程中，包括微处理器、存储芯片、传感器芯片等
加速试验是指在保证不改变产品失效机理的前提下，通过强化试验条件，使受试产品加速失效，来评估产品在正常条件下的可靠性或寿命指标。
HAST加速老化技术是一种在芯片行业常用的测试方法，用于模拟芯片在实际使用中可能遇到的极端环境和高温高湿的工作环境，以检验芯片的可靠性和寿命。
IGBT是一种高压、高电流功率半导体器件，常被用于大功率应用中，如电动汽车、工业电机驱动、UPS等。
光模块对单板体现的主要性能指标共同决定了光模块的性能和适用范围。
浸没式液冷是指将发热的电子元器件（如CPU、GPU、内存和硬盘等）浸没在冷媒（冷却液）中，依靠液体流动循环带走热量。
光子集成电路（PIC）是利用光子学原理实现信息传输和处理的电路，它可以在高速、大带宽和低能耗的条件下实现高效的信息传输和处理。
晶圆背冷基本上用的是氦气冷却，因为气相的氦气具有突出的化学惰性，且热导率、比热容均大于除氢气以外的任何其他气体。
光模块能耗的激增给数据中心的成本端带来巨大压力，解决其能耗问题成为当下光模块技术更新的关键。
温度循环试验、温度冲击试验和热冲击试验等，被用于模拟和评估光模块在高低温冲击下的性能表现。
车规级汽车电子比较相关的就是 AEQ 质量标准。AEC-Q100 是一种基于封装集成电路应力测试的失效机制。
光模块又称光收发一体模块，是实现光通信系统中光信号和电信号转换的核心部件，主要由光器件、功能电路和光接口等构成。
车规级芯片作为汽车的核心组成部分，对车规级芯片进行严格的测试，是确保汽车质量和安全性的重要手段。
HAST高加速寿命试验箱，主要用于评估在湿度环境下产品或者材料的可靠性
AEC-Q为车用可靠性测试标准，主要针对车载芯片进行严格的质量和可靠性确认，特别是对产品功能与性能进行标准规范测试。
高低温试验箱零配件维护保养在全部维护保养中占十分关键的一部分，日常维护保养不可忽视。
两箱式冷热冲击试验箱是一种用于测试产品耐受能力的设备，通过不断变换温度，检测产品是否出现受损情况。
接触式高低温冲击机ThermoTST ATC系列采用先进的设计和技术，具有广泛的温度范围
晶圆温循可靠性测试的种类和测试条件
晶圆背冷技术作为一种有效的温度管理手段，不仅保证了晶圆温度的均匀性，还增强了晶圆处理过程中的稳定性。
HASS也称高加速应力筛选实验，目的是为了使得生产的产品不存在任何隐含的缺陷或者在产品还没出厂前找到并解决这些缺陷。
温度偏差：试验箱（室）稳定状态下，工作空间各测量点在规定时间内实测最高温度和最低温度与设定温度的上下偏差。
气处理装置的目标是降低废气中的有害物质浓度，确保排放符合环境法规和标准，保护环境和人类健康。
真空吸盘主要有非热卡盘和热卡盘两种类型。热卡盘具有整体加热或冷却功能，可在加工过程中将晶圆保持在特定温度。
TC高温循环测试意义在于证实极高温度，极低温度和高温与低温交替作用时，机械应力对于器件焊接性能的作用。
随着设计规则的缩小，许多蚀刻工艺都转向了非常快速的等离子体蚀刻工艺步骤，这些步骤需要对所有反应输入进行高度精确的控制。
等离子体蚀刻可能是半导体制造中最重要的工艺，也可能是仅次于光刻的所有晶圆厂操作中最复杂的。
HALT不是通过/失败测试，而是对产品进行的一系列测试，以帮助提高产品的可靠性。
在芯片设计阶段，就需要根据各自芯片的规格参数规划好测试内容和测试方法。
ThermoTST TS560温度测试范围-70℃到+225℃，满足AEC-Q100标准的各个等级环境工作温度范围。
芯片测试一般会分2大步骤，一个叫CP(Chip Probing)，一个叫FT(Final Test)。CP是针对晶圆的测试，FT是针对封装好的芯片的测试。
ThermoTST高低温循环冲击机建议每 12 个月进行一次保养及温度校准工作，更换如滤芯之类的耗材，时间间隔也取决于设备的应用环境和使用时间。
在测试机和探针台之间建立一组稳定的信号连接关系，则需要临时将被测试器件实际安装在半导体测试装置上，通过半导体测试装置上设置的信号组件与被测试之间输入输出测试信号来执行测试
半导体产业作已成为各行各业中不可或缺的重要组成部分，其中一些常见的术语及其含义能更好地理解半导体芯片的工作原理。
WAT又称WAT工艺控制监测，是通过测试晶圆上特定测试结构的电性参数，检测每片晶圆产品的工艺情况，评估半导体制造过程的质量和稳定性，判断晶圆产品是否符合该工艺技术平台的电性规格要求。
车规级芯片，是应用到汽车中的芯片，不同于消费级和工业级，该类芯片对可靠性要求更高
高低温热流仪到货后，必须要进行五大检查后方可放心使用，最后一个尤为重要！
环境噪声制订标准的依据是环境基本噪声。各国大都参考ISO推荐的基数（例如睡眠为30分贝），根据不同时间、不同地区和室内噪声受室外噪声影响的修正值以及本国具体情况来制订。
ThermoTST系列高低温热流仪如何操作？三步就能熟练操作高低温热流仪！
半导体显微镜品牌拥有着出色的性能、精确的分析和广泛的应用领域。
在晶圆制造完成之后，晶圆测试是一步非常重要的测试。晶圆测试也就是芯片测试（die sort）或晶圆电测（wafer sort）。
在半导体产业的制造流程上，主要可分成IC设计、晶圆制程、晶圆测试及晶圆封装四大步骤。
针对功率器件的封装结构，国内外研究机构和 企业在结构设计方面进行了大量的理论研究和开 发实践，多种结构封装设计理念被国内外研究机构 提出并研究，一些结构设计方案已成功应用在 商用功率器件上。
光通讯、芯片、集成电路、实验室研究等领域在可靠性测试过程中多项测试要求都需要搭载高低温循环测试系统来完成
功率半导体作为电力电子系统的核心组成部分，已经广泛应用到生活、交通、电力、工业控制、航空航天、舰船等领域。
高导热封装材料及连接工艺、去键合线连接、大面积面接触、多散热路径同时缩短散热路程、降低散热路径的热阻等可能是未来高压高温大功率器件封装应具备的关键特征。
为分析时钟芯片的各项特性，高低温循环冲击机与其测试设备搭配，提供快速可靠的温度环境。
随着航空航天、汽车电子、军用、光伏、工业自动化等许多领域技术的不断发展，芯片在各种极端温度环境下的应用也越来越广泛。
ThermoTST TS760高低温循环测试系统应用于产品的特性分析、高低温温变测试、温度冲击测试、失效分析等可靠性试验
密封元器件在生产过程中有一个容易被生产方忽略并导致后续使用过程中引发元器件失效的风险，就是密封元器件内部出现的多余微小松散颗粒。
中冷高低温冲击设备广泛应用于网络通信芯片、微电子器件、集成电路等行业.
存储器芯片在电子系统中负责数据存储，是半导体存储产品的核心，其存储量与读取速度直接影响电子设备性能。
芯片测试几乎都离不开温度冲击试验，IGBT需要用温度冲击试验机做一些环境可靠性试验。
芳菲四月天，春光无限好，正是活动时，在这个春意盎然的季节。
电子元器件测试筛选服务提高产品使用可靠性，特别是针对进口元器件，通过“二次筛选”保证产品质量可控，提高装备整体可靠性。
IGBT 损耗特性和温度息息相关,因此标定出常 温 25 ℃ 和高温 125 ℃ 时的损耗值作为基础,并在 25 ℃和 125 ℃参数基础上,通过线性化处理,获得 全温度范围的损耗数据
在高低温条件与驻留时间目前新的规范会要求是依据测试品表面温度，而不是试验设备测试区的空气温度。
半导体业的一个不可逆转的趋势是芯片复杂度持续提高，对芯片测试提出了更高的要求。
ThermoTST热流仪搭配闩锁测试系统进行静电测试增强的数据集功能提供了灵活性，以满足当今系统级芯片设计的测试需求。
Commercial、Industrial、Automotive是业界对芯片行业的简单划分，各自领域对可靠性的要求也全然不同。
隔热风罩在冷热冲击机系统中是一个很重要的组成部分，通常是用来防止环境空气进入，创建一个封闭的，可重复的，热传递环境。
在芯片的国产化浪潮下，国产芯片的出货量和替代率近年来迅速飙升。
汽车半导体的飞速发展，我们就不得不提到由于半导体的发展而带来的一些挑战，特别是测试行业的挑战。
芯片测试用以评估芯片的寿命和可能的质量风险。
中冷低温研发的ThermoTST 系列热流仪有更广泛的温度范围，应用广泛，能满足更多生产环境和工程环境的要求。
ThermoTST TS系列高低温测试机有着不同于传统高低温箱的独特优势: 温度变化速率快
ThermoTST系列高低温测试机广泛应用于照明级大功率 LED 器件, LED 封装的可靠性测试
ThermoTST高低温测试机解决了传统验证方法缺陷问题，提供快速高低温冲击能力，作为一种必要的测试手段辅助生产通讯模块
中冷低温研发的ThermoTST系列热流仪-精确的高低温气流循环系统，能够精确控制热、冷空气，应用在测试元器件、混合电路、模块、PCB和装配
ThermoTST高低温循环测试系统与传统高低温测试箱存在很多差异，不论是工作原理还是产品特点，都是优异于传统温箱的
ThermoTST是纯机械制冷，无需液氮或任何其他消耗性制冷剂。
ThermoTST TS580 用于 100G/400G光模块量产测试
中国作为全球半导体产业的重要参与者，半导体设备增速显著高于全球。
元器件的可靠性是指在规定的时间内和规定的条件下，产品完成规定功能的能力.
高低温冲击气流仪用于IGBT、传感器、小型模块组件，进行特性分析、高低温温变测试、温度冲击测试、失效分析等可靠性试验。
我们公司的隔热玻璃风罩尺寸从 3寸到 7 寸常规产品可适配于客户各类产品尺寸，并且可以根据客户现场产品尺寸进行隔热风罩定制。
冷热冲击试验机TS580搭配长川CTT3600测试机应用于功率器件特性分析、高低温温变测试、温度冲击测试、失效分析等可靠性试验
离子注入能精确控制掺杂的浓度分布和掺杂深度，因而适于制作极低的浓度和很浅的结深
IGBT功率模块工作在多场耦合的环境中，封装状态参数受到多物理场控制。
现有的封装结构和监测方式极大地提高了Si基功率模块工作的稳定性
露点换算为ppm按下式计算：P/1013×104
高低温冲击气流仪 TS560 GPIB通讯（IEE488）完美兼容华峰测控, 操作简单.
主流使用的封装形式有焊接型和压接型封装
世界电子测量行业已经发展了很多年了，到现在为止，市场高度集中
常用的可测性设计方法包括基于扫描链（scan chain）的测试方法和内建自测试电路。
高低温冲击气流仪搭配ATE进行特性分析、高低温温变测试、温度冲击测试、失效分析等可靠性试验。
为解决高功率密度下 IGBT 功率模块散热问题，经过多年的发展，形成了弹簧式和直接接触式两种压接封装。
可靠性（Reliability）则是对产品耐久力的测量, 我们主要典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线（Bathtub Curve）来表示
DFT技术简单说就是在芯片设计中添加DFT逻辑，然后等芯片制造完成后，通过事先加入的DFT逻辑对芯片进行测试，挑选出没有问题的芯片。
WAT测试结构通常包含该工艺平台所有的有源器件和无源器件
WAT测试结构通常包含该工艺平台所有的有源器件和无源器件
芯片在封装完毕后，需要进行老化实验，确保交到顾客手中的芯片工作性能的稳定性和可靠性。
SOC的设计流程，包括数字电路设计前端和后端的全流程。
芯片测试是确保产品良率和成本控制的重要环节，主要目的是保证芯片在恶劣环境下能完全实现设计规格书所规定的功能及性能指标
MEMS是一种制造技术，诸如杠杆、齿轮、活塞、发动机甚至蒸汽机都是由MEMS制造的。
在晶圆上完成电路图的光刻后，就要用刻蚀工艺来去除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图。要做到这一点需要利用液体、气体或等离子体来去除选定的多余部分。
在自动化测试系统中，通常会对函数发生器指定几项具体的规范，比如上升时间、带宽、信号源阻抗和波幅准确度。
关于电阻在电路中的作用，有一些基本常识，比如电阻作为滤波网络的一部分可以减少噪音干扰，或作为衰减器将高电压信号引入可接受范围的连接设备中。
随着SiC MOSFET制备技术的改进和驱动问题的解决，其将在电力电子的高频开关领域得到广泛地应用
PXI—针对基于PCI/PCIe的模块化测试仪器和开关平台的开放式工业标准
TS-780做可靠性试验不仅减少了器件潜在的各种误差及失效机制，还有效地控制和保证器件的可靠性。
与基于硅的功率器件不同的是，SiC的氧化层可靠性试验设置还必须涵盖阻断模式下的稳定性
半导体产业是构建我国战略科技力量自立自强的核心支撑产业，而半导体零部件则是决定我国半导体产业高质量发展的关键领域
在市场竞争中，测试开发和量产测试是提升芯片设计公司的产品竞争力的重要环节，在半导体行业中的地位举足轻重。
半导体零部件是指在材料、结构、工艺、品质和精度、可靠性及稳定性等性能方面达到了半导体设备及技术要求的零部件
高低温冲击气流仪如今十分活跃在电子元器件/模块冷热测试领域。
高低温冲击设备TS-560、TS-580、TS-760等都可以进行芯片失效分析，同时提供特性分析、高低温温变测试、温度冲击测试等可靠性试验
随着集成电路制造技术的进步，人们已经能制造出电路结构相当复杂、集成度很高、功能各异的集成电路。但是这些高集成度，多功能的集成块仅是通过数目有限的引脚完成和外部电路的连接，这就给判定集成电路的好坏带来不少困难。
第24届中国国际光电博览会于2023年9月6日-8日在深圳国际会展中心开展，成都中冷低温科技有限公司将赴约参展，本公司在本次展会的展位号为10A61。
自古以来人们就掌握了测试技术，生产测试的目的是把好的物品和有瑕疵的物品分离出来，集成电路行业，测试的目标是把功能正确的芯片和有瑕疵的芯片分离出来，保证客户使用的是功能完整的芯片。
半导体制造CVD/ALD工艺用的气体，主要包含：Low-K、High-K、阻挡层和Chamber Clean用气体
随着时代的发展,很多新兴的产业和词语被广泛的应用起来.气体管道工程也逐渐被大家熟知。
半导体生产流程由晶圆制造，晶圆测试，芯片封装和封装后测试组成，而测试环节主要集中在WAT，CP和FT三个环节。
芯片从设计到成品有几个重要环节，分别是设计->流片->封装->测试，但芯片成本构成的比例确大不相同，一般为人力成本20%，流片40%，封装35%，测试5%
中冷低温科技提供高质量高性价比的IC芯片温度冲击测试机 TS-780，可以精准快速的实现电子芯片等电子元件的高低温循环测试 Thermal cycle、冷热冲击试验 Thermal stock 、老化试验、可靠性试验等
高低温冲击气流仪 TS-760热测机设备搭配 Keysight 仪器机台, 提供 IGBT, RF Device, MOSFET, Hi Power LED 等功率器件 -50℃ - 250℃ 温度测试解决方案
使用气体时，对气体存储安置不当，如平放或倒置气瓶、气体阀门长时间不检修造成气体泄漏所引起的毒害，爆炸等潜在危险情况。
ThermoTST TS系列热流仪利用创新的温度测试解决方案, 方便您直接在实验室及工作平台上进行光组件, PCB电路板、IC芯片、器件模块等测试.
针对某客户对集成芯片的测试要求, 成都中冷低温根据客户现场产品尺寸进行定制，成 功做出方形带卡钢罩
中冷高低温冲击气流仪 Temperature Forcing Systems 日常维护保养。
高低温气流温度冲击系统是一种用于电子元器件/模块冷热测试的高低温气流循环冲击设备
成都中冷低温科技有限公司作为高低温温度循环测试机（热流仪）的售后服务商，可以提供 ThermoStream/Temptronic/Thermonics高低温热流仪全系的售后维修服务。
TS-780H高低温热流仪系统现在可以与射频行业各类箱室进行配对.
作为超高速高低温循环试验机供应商，中冷可以提供多种标准或非标定制的腔体、治具、风罩等产品。
中冷高低温测试机解决了传统验证方法缺陷问题, 提供快速高低温冲击能力.
ThermoTST TS系列高低温测试机可与多种仪器联用，进行半导体芯片高低温测试。
Thermostream TS系列高低温测试机可与液晶显示屏测量系统联用进行 LED 环境温度测试.
Ts-780系统具有匹配合理、可靠性高、使用维护方便等优点
集成电路IC芯片温度冲击测试机外形美观大方，结构紧凑，采用移动式设计，更换场地方便简易。
国内环境可靠性检测厂商是汽车芯片可靠性提升的一份助力。成都中冷低温科技有限公司，就是国内致力于可靠性环境设备的制造商之一。
ThermoTST快速循环温度冲击系统是一台精密气流温度循环冲击系统，具有更广泛的温度范围。
电源芯片在出厂时需要经过测试芯片在快速变温过程中的稳定性, 这点十分重要. 成都中冷低温科技ThermoTST 高低温冲击测试机提供 -100°C 至 +350°C 快速温度冲击范围, 满足各类PMIC电源管理芯片的高低温冲击测试.
目前，晶圆测试是晶圆制造过程中必不可少的一部分。在早期的半导体制造中，每个芯片是在成型、切块、包装后进行测试的。由于这种做法成本高且效率低，在1970年首次引进了一种更有效的晶圆级测试过程，但这种方法直到80年代末才被广泛应用。这些晶圆需要进行一个简单的测试，用一些电子参数来确定功能正常的芯片的比例，也称为良率，然后将其切成小块并单独包装。然而，由于半导体的应用及相关要求的快速发展，其他参数也变得越来越重要，即温度和温度调节。
现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，如按其所处理的信号可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能IC，以及按IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类等。
随着半导体产业受到的关注越来越多，半导体产业链也活跃了起来。尤其是在全球芯片产能紧张的情况下，半导体设备市场的发展成为了业界关注的焦点。从整个半导体设备市场来看，半导体设备位于产业链的上游，其市场规模常常随着下游半导体的技术发展和市场需求而波动。根据SEMI预测，2020年全球半导体设备市场规模达创纪录的689亿美元，同比增长16%，2021年将达719亿美元，同比增长4.4%，2022年仍旧保持增长态势，市场将达761亿美元，同比增长5.8%。
CIOE光博会，作为极具规模及影响力的光电产业综合性展会，第23届光电博览会于2021年9月16-18日在深圳国际会展中心盛大开幕，成都中冷作为高低温设备领域的优质供应商携带多款高低温冲击热流仪（Temperature Forcing Systems）应邀展会，重装登场。
产品设计成型后，必须对产品进行可靠性试验，产品可靠性试验是激发潜在失效模式，提出改进措施，确定项目或系统是否满足预先制定的可靠性要求的必须步骤。可靠性试验是为了确定已通过可靠性鉴定试验而转入批量生产的产品在规定的条件下是否达到规定可靠性要求，验证产品的可靠性是否随批量生产期间工艺，工装，工作流程，零部件质量等因素的变化而降低。只有经过这些，产品性能才是可以信任的，产品的质量才是过硬的。
基于磁热效应的固态制冷技术-磁制冷技术，具有绿色环保、潜在高效、噪音小、振动小等特点，有望成为具有竞争力和应用前景的制冷技术之一。由于空间探测器等技术的需求，绝热去磁低温技术得以快速地发展，随后室温磁制冷技术逐渐兴起。本文结合旋转式Halbach磁路技术与多轴同步控制技术，搭建出一台小体积、旋转内磁体式室温磁制冷系统，并进行了初步实验研究。
大型低温制冷系统是相对于脉冲管制冷机、G-M 制冷机以及斯特林制冷机等小型制冷机而言的，它是以膨胀机为核心产冷部件、并形成回路的制冷系统。其中大型氦低温系统（主要包括氦制冷机和氦液化器）是指以氦为工质采用透平膨胀机的大型低温系统。其被广泛应用于散裂中子源、正负电子对撞机和超导托卡马克等大科学装置中，目的是冷却超导线圈等热负载。伴随低温超导、核能与高能物理等科学技术近年来的迅猛发展，相关学科对大型氦制冷系统提出了新的要求，由于这些系统在运行中往往会产生热脉冲，通过负载端传导给制冷系统，从而对制冷系统产生热冲击，带来系统工质压力和质量流量的大幅波动，进而威胁压缩机和透平等关键部件的安全运行。现有的大型氦制冷系统的控制系统并不能很好的处理类似热冲击的较大扰动，使得大型氦制冷系统需要面对热冲击的新挑战。为了应对此类挑战，本文给出了一种基于模糊神经网络方法的多变量协同控制策略。神经网络控制具有学习功能，善于自适应自学习，能够适应环境的变化自动修改控制参数，反应迅速，但鲁棒性不高。而模糊控制具有高鲁棒性的特点，因此，本文将两者结合，建立了一个模糊神经网络控制方法，期望能发挥出二者各自的优势。
天然气作为清洁燃料是汽油、柴油理想的替代品之一，液化天然气（LNG）具有储存密度高，储存压力低，行驶里程长的优点，广泛应用于公交车、重卡等。LNG汽车的技术已经相对成熟，但是BOG的排放问题一直没有很好解决。目前对BOG的处理方式为再冷凝和直接压缩，这两种工艺均需加装压缩机，换热器等大型设备，其成本高昂且难以小型化，限制了LNG在小型汽车上的应用。天然气的储存方式有3种，分别为LNG；CNG（Compressed Natural Gas，压缩天然气）和ANG（Adsorpted NatureGas，吸附天然气）。ANG存储能力在中压（4.5 MPa）下为200 V/V(标态下天然气体积/吸附剂体积)；CNG的存储能力为（24.8 MPa）220 V/V。本文利用ANG技术以解决LNG储罐的BOG排放问题，设计了一套高比表面积活性炭吸附装置及其配套测试系统，用以分析吸附储罐对BOG的存储能力。
热管作为一种被动式传热装置，结构简单，适应性强，造价低廉，其有效果导热系数高达铜、铝等常用型金属的几十倍，因此，被广泛应用于电子冷却、太阳能、核电站、地热等领域。脉动热管由Akachi在20世纪90年代提出，基本结构为具有多个U型弯的蛇形毛细管路，管道首尾相连的为闭式环路型（CLPHP），不相连的为开式环路型（OLPHP）。脉动热管管路直径小，汽液两相容易以汽塞和液柱的形式存在，其工作依靠蒸发段和冷凝段的汽塞压差形成的自激振荡驱动，因而不需要常规热管的吸液芯结构回液，而且也可以实现抗重力运行。本文研究铝基常规单环路和冷凝段带有倾斜连通通道的板式脉动热管在不同充液率时的两相流动特性以及传热性能随加热功率的变化规律，并对两种管路结构进行对比，这在目前的研究中还未报道。
CSNS低温系统完成了设备安装，并随即开始了调试工作。基于安全考虑，工作人员先使用氦气进行了五次降温测试。在调试过程中不断优化控制逻辑，确保降温过程的平稳可靠，并实现了一键全自动降温。4月开始，进行超临界氢降温测试的准备工作，包括氢系统配气排放管路的漏率检测、氢含量报警系统的校准、控制逻辑的优化等。在完成了氢安全的相关准备工作后，低温系统于4月21日和25日分别进行了两轮氢降温测试，由于氢在33K附近存在剧烈的密度变化，导致温度与压力剧烈波动，给调试带来了巨大的困难，测试失败。经过对前两轮测试数据的分析和经验总结，工作人员采用了分阶段降温的方法并优化了压力控制逻辑，在5月5日开始的第三次降温测试中解决了温度与压力波动的问题，历经28小时后成功完成了20K超临界氢降温。之后，低温系统使用模拟负载分别加载了120W和160W的加热器功率，模拟100kW质子束流产生的动态热负荷，并在该状态连续稳定运行了48小时，测试取得成功。在连续进行的8轮降温测试过程中，低温系统全体成员放弃节假日休息，保障了调试顺利按进度完成。
BEPCII（北京正负电子对撞机重大改造项目）低温系统采用2台Linde公司制造的TCF50S制冷机，每套低温系统分别由1台ESD441 SFC型螺杆压缩机、1台TCF50S型500 W/4.5 K氦制冷机以及连接制冷机与超导设备之间的低温传输管线和分配阀箱等组成。其中一台制冷机(制冷机A)为超导磁体提供冷量，另一台制冷机(制冷机B)为超导腔提供冷量，这两套制冷机从2005年开始投入使用,到目前为止已经运行了12年之久。
乙烯是石油化工产业的核心，其产品占石化产品的70%以上。在较大型的乙烯储运装置中，常用的贮存方法是低温常压贮存方法。液态乙烯(liquid ethylene gas, LEG）的标准沸点是-104 ℃，在储运过程中，外界热量或其他能量的侵入会引起管路及储罐内乙烯的蒸发，产生大量闪蒸汽(boil-off gas, BOG) 。为维持储罐内压力在设计范围内，常采用再液化装置处理过量的BOG。复叠式两级压缩两次节流中间完全冷却再液化循环应用广泛。本文提出增加回热器用以回收从闪蒸罐排出的饱和蒸汽的冷量，通过对改进前后的流程进行性能分析，发现系统COP和效率显著提高。
